Power Field-Effect Transistor, 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏源导通电阻 | 0.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-XUUC-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved