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MT58LC32K32B4LG-8.5

产品描述Cache SRAM, 128KX8, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
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文件大小489KB,共17页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT58LC32K32B4LG-8.5概述

Cache SRAM, 128KX8, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100

MT58LC32K32B4LG-8.5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码QFP
包装说明PLASTIC, MS-026, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间8.5 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量100
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm

MT58LC32K32B4LG-8.5相似产品对比

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描述 Cache SRAM, 128KX8, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 128KX9, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 Standard SRAM, 128KX9, 9ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 128KX9, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 128KX8, 7.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 64KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 64KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 128KX9, 7.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 PLASTIC, MS-026, TQFP-100 PLASTIC, MS-026, TQFP-100 PLASTIC, MS-026, TQFP-100 PLASTIC, MS-026, TQFP-100 PLASTIC, MS-026, TQFP-100 PLASTIC, MS-026, TQFP-100 PLASTIC, MS-026, TQFP-100 PLASTIC, MS-026, TQFP-100
针数 100 100 100 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.B 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 8.5 ns 10 ns 9 ns 8.5 ns 7.5 ns 8.5 ns 7.5 ns 7.5 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 1048576 bit 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bit 1048576 bit 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM STANDARD SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 8 9 9 9 8 18 18 9
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100 100 100 100
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 65536 words 65536 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 64000 64000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX9 128KX9 128KX9 128KX8 64KX18 64KX18 128KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.25 mA 0.2 mA 0.25 mA 0.25 mA 0.28 mA 0.25 mA 0.28 mA 0.28 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
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