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MT4LSY6472T6G-8P

产品描述Cache SRAM Module, 64KX72, 8ns, CMOS
产品类别存储    存储   
文件大小526KB,共14页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT4LSY6472T6G-8P概述

Cache SRAM Module, 64KX72, 8ns, CMOS

MT4LSY6472T6G-8P规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
包装说明DIMM, DIMM160
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间8 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N160
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量160
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX72
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM160
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.008 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.84 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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