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M36L0R8060B1ZAQ

产品描述SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
产品类别存储    存储   
文件大小391KB,共18页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M36L0R8060B1ZAQ概述

SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88

M36L0R8060B1ZAQ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
针数88
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性PSEUDO SRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码R-PBGA-B88
JESD-609代码e0
长度10 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+PSRAM
功能数量1
端子数量88
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA88,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00011 A
最大压摆率0.052 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
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