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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BD140-25
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BD140-25

产品描述Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小27KB，共3页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
标准
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BD140-25概述

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

BD140-25规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)12.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
TO-126 (SOT-32) Plastic Package
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
BD136, BD138, BD140
BD136, 138, 140
PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS
Complementary BD135, 137, 139
Medium Power Linear and Switching Applications
PIN CONFIGURATION
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
1
2
3
ALL DIMENSIONS IN MM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current
Total power dissipation up to T
C
= 25°C
Junction temperature
Collector-emitter saturation voltage
I
C
= 0.5 A; I
B
= 0.05 A
D.C. current gain
I
C
= 0.15 A; V
CE
= 2 V
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
T
j
V
CEsat
h
FE
max.
max.
max.
max.
max.
max.
min.
max.
136
45
45
136
45
45
138 140
60 100
60
80
1.5
12.5
150
0.5
40
250
138
60
60
5.0
140
100
80
V
V
A
W
°C
V
RATINGS
(at T
A
=25°C unless otherwise specified)
Limiting values
Collector-base voltage (open emitter)
V
CBO
Collector-emitter voltage (open base)
V
CEO
Emitter-base voltage (open collector)
V
EBO
max.
max.
max.
V
V
V
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3

BD140-25相似产品对比

BD140-25 BD136-25 BD138-25
描述 Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 45 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 12.5 W 12.5 W 12.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON

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