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2N5642: 产品描述RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小17KB，共1页; 制造商Advanced Semiconductor, Inc.

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2N5642概述

RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

参数名称	属性值
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	3 A
基于收集器的最大容量	35 pF
集电极-发射极最大电压	35 V
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	5
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	O-CRPM-F4
端子数量	4
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	30 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ