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MGFC2407-T03

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小144KB,共5页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MGFC2407-T03概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-2

MGFC2407-T03规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N3
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)0.25 A
FET 技术JUNCTION
最高频带X BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)7 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MGFC2407-T03相似产品对比

MGFC2407-T03 MGF2407A-02 MGF2407A-11 MGFC2407-T02
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-2 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, FM-2 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, FM-2 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-2
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 UNCASED CHIP, R-XUUC-N3
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (ID) 0.25 A 0.2 A 0.2 A 0.25 A
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION
最高频带 X BAND KU BAND KU BAND X BAND
JESD-30 代码 R-XUUC-N3 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-XUUC-N3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 7 dB 7 dB 7 dB 7 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD FLAT FLAT NO LEAD
端子位置 UPPER DUAL DUAL UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
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