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ITH60F06P

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小288KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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ITH60F06P概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

ITH60F06P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-247
针数3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压600 V
最大降落时间(tf)300 ns
门极发射器阈值电压最大值7.5 V
门极-发射极最大电压20 V
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)155 W
表面贴装NO
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