Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | TO-247 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 75 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
最大降落时间(tf) | 300 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 7.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 155 W |
表面贴装 | NO |
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