RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, TO-46
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 3.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 10 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 25 |
| 最高频带 | L BAND |
| JEDEC-95代码 | TO-46 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 0.75 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.75 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 2000 MHz |
| MRF5836HXV | 2N5837 | 2N5836 | MRF5836HX | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, TO-46 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.2 A | 0.3 A | 0.2 A | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 3.5 pF | 5 pF | 3.5 pF | 3.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 10 V | 5 V | 10 V | 10 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 25 | 25 | 25 | 25 |
| 最高频带 | L BAND | L BAND | L BAND | L BAND |
| JEDEC-95代码 | TO-46 | TO-46 | TO-46 | TO-46 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 0.75 W | 0.75 W | 0.75 W | 0.75 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.75 W | 2 W | 2 W | 0.75 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 2000 MHz | 1700 MHz | 2000 MHz | 2000 MHz |
| 包装说明 | - | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
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