Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
最大漏源导通电阻 | 85 Ω |
FET 技术 | JUNCTION |
JEDEC-95代码 | TO-226AA |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 135 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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