10A, 80V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 500 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 80 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 10 A |
最大漏极电流 (ID) | 10 A |
最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-204AA |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 75 W |
最大功率耗散 (Abs) | 75 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 280 ns |
最大开启时间(吨) | 200 ns |
IRF9133 | IRF9132 | IRF9131 | |
---|---|---|---|
描述 | 10A, 80V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | 10A, 100V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | 12A, 80V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 500 mJ | 500 mJ | 500 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 80 V | 100 V | 80 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 10 A | 10 A | 12 A |
最大漏极电流 (ID) | 10 A | 10 A | 12 A |
最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω | 0.4 Ω | 0.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-204AA | TO-204AA | TO-204AA |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 75 W | 75 W | 75 W |
最大功率耗散 (Abs) | 75 W | 75 W | 75 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A | 40 A | 48 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 280 ns | 280 ns | 280 ns |
最大开启时间(吨) | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | - | Renesas(瑞萨电子) |
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