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IRLF120SCX

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRLF120SCX概述

Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN

IRLF120SCX规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码BCY
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)120 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)5.3 A
最大漏源导通电阻0.35 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)21 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRLF120SCX相似产品对比

IRLF120SCX IRLF120PBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN
是否无铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合
零件包装代码 BCY BCY
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas) 120 mJ 120 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 5.3 A 5.3 A
最大漏源导通电阻 0.35 Ω 0.35 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-205AF TO-205AF
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 21 A 21 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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