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2N4870

产品描述Unijunction Transistor, 5uA I(P)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小61KB,共1页
制造商Silicon Group Inc
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2N4870概述

Unijunction Transistor, 5uA I(P)

2N4870规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Silicon Group Inc
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大发射极电流50 mA
最大基极间电压35 V
最大本征偏离比0.75
最小本征偏离比0.56
JESD-609代码e0
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大峰点电流5 mA
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
最大基极间静态电阻9.1 kΩ
最小基极间静态电阻4 kΩ
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最小谷点电流2 mA

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