电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SF13G

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小133KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
下载文档 详细参数 全文预览

SF13G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SF13G - - 点击查看 点击购买

SF13G概述

Rectifier Diode,

SF13G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
二极管类型RECTIFIER DIODE

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
SF11G
---
SF18G
VOLTAGE RANGE: 50 ---
600
V
CURRENT:
1.0
A
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
The plastic package carries underwrites laboratory
flammability classification 94V-O
High current capability
Low reverse leakage
Glass passivated junction
Low forward voltage drop
High temperature soldering guaranteed:
vvvvv350
/10 seconds, 0.375"(9.5mm) lead length,
wwc5lbs,
(2.3kg) tension
DO -
41
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-41,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.012 ounces,0.34 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SF
11G
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
SF
12G
100
70
100
SF
13G
150
105
150
SF
14G
200
140
200
1.0
SF
15G
300
210
300
SF
16G
400
280
400
SF
17G
500
350
500
SF
18G
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
30.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 1.0 A
Maximum reverse recovery time
(Note1)
V
F
t
rr
I
R
C
J
T
J
T
STG
0.95
1.3
1.7
V
35
5.0
100.0
50.0
- 50 ---- + 175
- 50---- + 175
25.0
ns
A
pF
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical junction capacitance
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE:
1. Measured with I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A.
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse v oltage of 4.0V DC.
www.galaxycn.com
Document Number 0269019
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.
晒WEBENCH设计的过程+POWER设计
POWER设计软件, 一打开, 就能看到, 可以添加输入和输出, 对于多输入和多输出, 有很好的设计安排, 添加电源后, 可以看见两个输入的选择, 在这里, 我设计成12V和5V的输入, 而输出是2.7V的0.5A, ......
accboy 模拟与混合信号
【 ST NUCLEO-G071RB测评】TIM-Basic timers
本次实验使用的NUCLEO-G071RB开发板由https://www.stmcu.com.cn/index.p ... /261/layout/product提供,更多相关资讯请进入查询。本次实验是利用NUCLEO-G071RB开发板的TIM6模块产生定时中 ......
lising stm32/stm8
Engineer It -了解运算放大器的精密性挑战
了解不同的微调方法会对运算放大器产生的影响,以及怎样为你的系统挑选合适的运放。http://v.youku.com/v_show/id_XNTk2Njc2ODMy.html...
德州仪器 模拟与混合信号
ROHS资料集锦(中文)
ROHS资料集锦(中文)...
lorant 无线连接
打印驱动中 接口调用问题?
入口: DrvEnableDriver DrvEnableDriver( ULONG iEngineVersion, ULONG cj, DRVENABLEDATA *pdrvenabledata, PENGCALLBACKS pEngCallbacks) { ......
pepper 嵌入式系统
msp430 程序升级
在项目开发中,至关重要的是保证产品运行的可靠,如果遇到异常,能否恢复很重要,而不是像砖头一样,程序死在某个地方。固件升级的原理就是重写向量表,在引导区更新app区的flash,然后跳转app ......
Jacktang 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2555  1873  747  104  728  37  29  51  14  5 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved