6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
6 A, 600 V, 硅, 桥式整流二极管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
元件数量 | 4 |
最大平均输入电流 | 6 A |
加工封装描述 | 塑料, GBU, 4 PIN |
状态 | CONSULT MFR |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | NOT SPECIFIED |
端子位置 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 桥, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | 硅 |
二极管类型 | 桥式整流二极管 |
相数 | 1 |
最大重复峰值反向电压 | 600 V |
最大非重复峰值正向电流 | 200 A |
GBU8J | GBU8A | GBU8D | GBU8G | GBU8B | GBU8K | GBU8M | |
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描述 | 6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 6 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
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