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GBU4J

产品描述3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小190KB,共2页
制造商PFS
官网地址http://www.ps-pfs.com/ENG/main.asp
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GBU4J概述

3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

3 A, 600 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU4J规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流3 A
加工封装描述塑料, GBU, 4 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压600 V
最大非重复峰值正向电流150 A

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MASTER INSTRUMENT CORPORATION
GBU4A TH
RU GBU4M
Features
Plastic Package has Underwriters Laboratory
Glass Passivated Chip Junction
High Temperature Soldering Guaranteed
High Surge Overload Rating
4 Amp Single Phase
Glass Passivated
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
GBU
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Part Number
Device
Marking
GBU4A
GBU4B
GBU4D
GBU4G
GBU4J
GBU4K
GBU4M
---
---
---
---
---
---
---
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
A
G
H
1.90 RADIUS
3.2x45
C
N
N
I B
J
+
N
D
E
N
-
K
L
~
~
M
F
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
4A
Tc = 100°C
Current
(NOTE 1,2 )
Peak Forward Surge
I
FSM
150A
8.3ms, half sine
Current
Maximum
I
FM
=2A
1.0V
Instantaneous
V
F
Forward Voltage
T
J
= 25°C
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
5
µA
T
J
= 25°C
Rated DC Blocking
500uA T
J
= 125°C
Voltage
Typical thermal
resistance per leg
R
OJC
2.2
°C
/W
Typical Junction
C
J
45pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 1%
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
INCHES
MIN
.860
.720
.130
.690
.030
.018
.290
.140
.065
.089
.077
.040
.190
DIMENSIONS
MM
MAX
MIN
.880
21.80
.740
18.30
.140
3.30
.710
17.50
.039
0.76
.022
0.46
.310
7.40
.160
3.50
.085
1.65
.108
2.25
.093
1.95
.050
1.02
.210
4.83
7.0 TYPICAL
MAX
22.30
18.80
3.56
18.00
1.00
0.56
7.90
4.10
2.16
2.75
2.35
1.27
5.33
NOTE
Web Site:
WWW.PS-PFS.COM
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描述 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
状态 TRANSFERRED - ACTIVE ACTIVE - DISCONTINUED ACTIVE
二极管类型 桥式整流二极管 - 桥式整流二极管 BRIDGE RECTIFIER DIODE - 桥式整流二极管 桥式整流二极管
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