Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 200 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 20 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.072 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-257AA |
| JESD-30 代码 | R-XSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRHYS593Z30CMPBF | IRHYS593Z30CM | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 | HERMETIC SEALED PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown |
| 雪崩能效等级（Eas） | 200 mJ | 200 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 20 A | 20 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.072 Ω | 0.072 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-257AA | TO-257AA |
| JESD-30 代码 | R-XSFM-P3 | R-XSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A | 80 A |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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