M24C02-DS3G/G,M24C02-DS3G/G pdf中文资料,M24C02-DS3G/G引脚图,M24C02-DS3G/G电路-Datasheet-电子工程世界

M24C02-DS3G/G: 产品描述256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3 X 3 MM, LEAD FREE, TSSOP-8; 产品类别存储存储; 文件大小524KB，共28页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M24C02-DS3G/G概述

256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3 X 3 MM, LEAD FREE, TSSOP-8

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	3 X 3 MM, LEAD FREE, TSSOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR
JESD-30 代码	S-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
长度	3 mm
内存密度	2048 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.19
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	AEC-Q100
座面最大高度	1.1 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	HARDWARE

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