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LCE22-E3/51

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小81KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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LCE22-E3/51概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN

LCE22-E3/51规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明O-PALF-W2
针数2
制造商包装代码CASE 1.5KE
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压29.8 V
最小击穿电压24.4 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压22 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE

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LCE6.5 thru LCE28A
Vishay General Semiconductor
Low Capacitance T
RANS
Z
ORB
®
Transient Voltage Suppressors
FEATURES
• Glass passivated chip junction
• 1500 W peak pulse power capability with a
10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty cycle):
0.01 %
• Excellent clamping capability
• Very fast response time
Case Style 1.5KE
• Low incremental surge resistance
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching
and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor
units for consumer, computer, industrial and
telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
Molded epoxy body over passivated junction
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade
Polarity:
Color band denotes TVS cathode end
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
V
WM
P
PPM
P
D
T
j
max.
6.5 V to 28 V
1500 W
6.5 W
175 °C
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs waveform
Power dissipation on infinite heatsink at T
L
= 75 °C (Fig. 2)
Peak power pulse surge current with a 10/1000 µs waveform
(1,3)
Operating junction and storage temperature range
Note:
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
= 25 °C per Fig. 2
(2) See Figure 1
(3) See Figure 2
SYMBOL
P
PPM
P
D
I
PPM
T
J
, T
STG
LIMIT
Minimum 1500
(1,2)
6.5
see next table
- 65 to + 175
UNIT
W
W
A
°C
Document Number 88357
07-Jun-06
www.vishay.com
1
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