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5082-3140

产品描述Pin Diode, 150V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL, M-50, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小16KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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5082-3140概述

Pin Diode, 150V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL, M-50, 2 PIN

5082-3140规格参数

参数名称属性值
包装说明R-MDFM-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压150 V
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型PIN DIODE
频带L BAND TO KU BAND
JESD-30 代码R-MDFM-W2
少数载流子标称寿命400 µs
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术NEGATIVE-INTRINSIC-POSITIVE
端子形式WIRE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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5082-3140
MICROSTRIP/STRIPLINE NIP DIODE SWITCH
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-3140
is a Silicon NIP
Diode Module Designed for Reflective
Attenuator and Switching Applications
from 1 GHz to 18 GHz.
PACKAGE STYLE M-50
FEATURES INCLUDE:
Direct replacement for
HP 5082-3140
Isolation = 20 dB min. at 10 GHz
Hermetic Package
MAXIMUM RATINGS
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
250 mA
150 V
1.75 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +150 °C
-65 °C to +150 °C
72 °C/W
Anode
ORDER CODE: ASI30212
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
BR
V
F
τ
I
L
I
L
V
SWR
I
R
= 10
µA
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
I
F
= 100 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 0 mA
I
F
= 100 mA
I
F
= 0 mA
I
R
= 250 mA
P
IN
= 0 dBm
P
IN
= 0 dBm
P
IN
= 0 dBm
f = 10 GHz
f = 10 GHz
f = 10 GHz
MINIMUM
150
TYPICAL
MAXIMUM
1.0
UNITS
V
V
µ
S
400
0.5
20
1.5:1
dB
dB
---
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without
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