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SBL835-A

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 35V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小94KB,共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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SBL835-A概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 35V V(RRM), Silicon

SBL835-A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JESD-30 代码R-PSFM-T2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压35 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
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