ST173S12PDP1L,ST173S12PDP1L pdf中文资料,ST173S12PDP1L引脚图,ST173S12PDP1L电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> ST173S12PDP1L

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ST173S12PDP1L: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 1200V V(DRM); 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小156KB，共10页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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ST173S12PDP1L概述

Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 1200V V(DRM)

ST173S12PDP1L规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
关态电压最小值的临界上升速率	1000 V/us
最大直流栅极触发电流	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	600 mA
最大漏电流	40 mA
通态非重复峰值电流	4900 A
最大通态电压	2.07 V
最大通态电流	175000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
断态重复峰值电压	1200 V
触发设备类型	SCR

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