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APT1204R7SFLLG

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1200V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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APT1204R7SFLLG概述

Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1200V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

APT1204R7SFLLG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1646041571
包装说明D3PAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys ManufacturerMicrosemi Corporation
Samacsys Modified On2020-02-21 12:26:06
雪崩能效等级(Eas)425 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1200 V
最大漏极电流 (ID)3.5 A
最大漏源导通电阻4.7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)14 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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