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APT1201R4BFLL

产品描述Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB, TO-247, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小120KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT1201R4BFLL概述

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB, TO-247, 3 PIN

APT1201R4BFLL规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-247AD
包装说明TO-247, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)1210 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻1.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)36 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

APT1201R4BFLL相似产品对比

APT1201R4BFLL APT1201R4SFLL
描述 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB, TO-247, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK, 3 PIN
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi
包装说明 TO-247, 3 PIN D3PAK, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
雪崩能效等级(Eas) 1210 mJ 1210 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1200 V 1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9 A 9 A
最大漏极电流 (ID) 9 A 9 A
最大漏源导通电阻 1.4 Ω 1.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 300 W 300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 36 A 36 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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