HYM532214ASLTEG-60概述

EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

HYM532214ASLTEG-60规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM, SSIM72
针数	72
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度	16
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	25.4 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.0012 A
最大压摆率	0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	SINGLE

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HYM532214ASLTEG-60相似产品对比

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描述	EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 2MX32, 80ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 2MX32, 80ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 2MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 2MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 2MX32, 80ns, CMOS, SIMM-72
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
包装说明	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72
针数	72	72	72	72	72	72	72	72	72
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	80 ns	70 ns	70 ns	80 ns	60 ns	60 ns	70 ns	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72
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内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
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工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
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封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
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封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
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最大压摆率	0.48 mA	0.36 mA	0.4 mA	0.4 mA	0.36 mA	0.48 mA	0.48 mA	0.4 mA	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE

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