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APTGF360U60D4

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小200KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APTGF360U60D4概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4

APTGF360U60D4规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid2121124589
零件包装代码MODULE
包装说明MODULE-4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)450 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1560 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)430 ns
标称接通时间 (ton)250 ns
VCEsat-Max2.45 V

 
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