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SMMBTH10LT1

产品描述TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN, BIP RF Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小116KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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SMMBTH10LT1概述

TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN, BIP RF Small Signal

SMMBTH10LT1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOT-23
包装说明CASE 318-08, 3 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 318-08
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.025 A
基于收集器的最大容量0.7 pF
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)650 MHz

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MMBTH10M3T5G
NPN VHF/UHF Transistor
The MMBTH10M3T5G device is a spin−off of our popular
SOT−23 three−leaded device. It is designed for general purpose
VHF/UHF applications and is housed in the SOT−723 surface mount
package. This device is ideal for low−power surface mount
applications where board space is at a premium.
Features
http://onsemi.com
Reduces Board Space
This is a Halide−Free Device
This is a Pb−Free Device
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector
−Emitter
Voltage
Collector
−Base
Voltage
Emitter−Base Voltage
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
Value
25
30
3.0
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
1
BASE
COLLECTOR
3
2
EMITTER
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation
FR−5 Board (Note 1)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (Note 2) T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
P
D
Max
265
2.1
R
qJA
P
D
470
640
5.1
R
qJA
T
J
, T
stg
195
−55
to
+150
Unit
mW
mW/°C
1
3
MARKING
DIAGRAM
SOT−723
CASE 631AA
STYLE 1
AJ M
2
°C/W
mW
mW/°C
°C/W
°C
AJ
M
= Specific Device Code
= Date Code
ORDERING INFORMATION
Device
MMBTH10M3T5G
Package
Shipping
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. FR−5 = 1.0

0.75

0.062 in.
2. Alumina = 0.4

0.3

0.024 in. 99.5% alumina.
SOT−723 8000/Tape & Reel
(Pb−Free)
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009
January, 2009
Rev. 0
1
Publication Order Number:
MMBTH10M3/D

SMMBTH10LT1相似产品对比

SMMBTH10LT1 MMBTH10LT3
描述 TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN, BIP RF Small Signal UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 SOT-23 SOT-23
包装说明 CASE 318-08, 3 PIN PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
针数 3 3
制造商包装代码 CASE 318-08 CASE 318-08
Reach Compliance Code not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
基于收集器的最大容量 0.7 pF 0.7 pF
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 240
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 650 MHz 650 MHz
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