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SNF605023

产品描述Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小90KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SNF605023概述

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3

SNF605023规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)24 A
最大漏源导通电阻0.23 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
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