TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,5A I(D),TO-92VAR
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.9 W |
表面贴装 | NO |
Base Number Matches | 1 |
2SK2989(TPE6,Q) | 2SK2989(TPE6) | 2SK2989(TPE6,F) | |
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描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,5A I(D),TO-92VAR | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,5A I(D),TO-92VAR | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,5A I(D),TO-92VAR |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
配置 | Single | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5 A | 5 A | 5 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.9 W | 0.9 W | 0.9 W |
表面贴装 | NO | NO | NO |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
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