2SK1907DR,2SK1907DR pdf中文资料,2SK1907DR引脚图,2SK1907DR电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SK1907DR

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2SK1907DR: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小252KB，共3页; 制造商SANYO; 官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html

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2SK1907DR概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SK1907DR规格参数

参数名称	属性值
Objectid	1454194586
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	12 A
最大漏源导通电阻	0.16 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	48 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON

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