IC,MICROPROCESSOR,32-BIT,MOS,DIP,48PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 位大小 | 32 |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T48 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 端子数量 | 48 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP48,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 速度 | 10 MHz |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROPROCESSOR, RISC |
NS32016微处理器的指令集具有以下特点,这些特点有助于优化高级语言(High-Level Languages, HLL)的执行:
32位架构:NS32016拥有32位的算术逻辑单元(ALU)和32位的通用寄存器,支持32位的指令集,这为执行高级语言提供了充足的数据处理能力。
虚拟内存支持:具备虚拟内存支持功能,拥有16兆字节的线性地址空间,这有助于高级语言在内存管理方面的实现,特别是那些需要动态内存分配的语言。
强大的指令集:Series 32000指令集针对模块化高级语言进行了优化,具有高度对称性,采用双地址格式,并包含了面向高级语言的寻址模式。
高级语言寻址模式:指令集包含专为高级语言设计的寻址模式,如寄存器相对寻址、内存相对寻址、立即数寻址等,这些寻址模式简化了高级语言中变量访问和数据结构操作的实现。
模块化软件支持:NS32016的架构允许软件包独立于其他包开发,无论其他包的寻址方式如何,ROM代码完全可重定位,易于访问,这减少了硬件和软件的成本。
强大的寻址模式:提供九种寻址模式,包括寄存器寻址、寄存器相对寻址、内存空间寻址、立即数寻址、绝对寻址、外部寻址、栈顶寻址、扩展乘法寻址等,这些寻址模式使得数据访问更加灵活高效。
数据类型支持:支持多种数据类型,如字节、字、双字和BCD,这些数据类型可以组合成各种数据结构,适应不同的编程需求。
对称的指令集:避免特殊案例指令,这些指令编译器无法使用,Series 32000家族整合了强大的控制操作指令,如数组索引和外部过程调用,节省了编译代码的空间和时间。
内存到内存操作:Series 32000 CPU是双地址机器,意味着每个操作数都可以通过提供的寻址模式中的任何一个来引用,这种强大的内存到内存架构允许内存位置被当作寄存器用于所有有用的操作。
软件处理器概念:Series 32000架构允许通过特殊奴隶处理器执行未来扩展的指令集,作为CPU的扩展,这种奴隶处理器的概念在Series 32000家族中是独特的,它允许软件兼容性,即使是对于未来的组件也是如此。
这些特点使得NS32016微处理器能够有效地执行高级语言编写的程序,提供高性能的计算能力,并且支持复杂的内存管理和数据操作。
| NS32016D-10 | NS32016D10-MSP | NS32016N-10 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC,MICROPROCESSOR,32-BIT,MOS,DIP,48PIN,CERAMIC | IC,MICROPROCESSOR,32-BIT,MOS,DIP,48PIN,CERAMIC | IC,MICROPROCESSOR,32-BIT,MOS,DIP,48PIN,PLASTIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) | National Semiconductor(TI ) |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 位大小 | 32 | 32 | 32 |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T48 | R-XDIP-T48 | R-PDIP-T48 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 端子数量 | 48 | 48 | 48 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP48,.6 | DIP48,.6 | DIP48,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 速度 | 10 MHz | 10 MHz | 10 MHz |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROPROCESSOR, RISC | MICROPROCESSOR, RISC | MICROPROCESSOR, RISC |
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