IDT7M823S100CB概述

SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP64

IDT7M823S100CB规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	_compli
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T64
JESD-609代码	e0
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	8
端子数量	64
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP64,.9
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B (Modified)
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	6
Base Number Matches	1

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IDT7M823S100CB相似产品对比

	IDT7M823S100CB	7M823S100CB
描述	SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP64	SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP64
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
Reach Compliance Code	_compli	_compli
最长访问时间	100 ns	100 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T64	R-XDIP-T64
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	1048576 bi	1048576 bi
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	8	8
端子数量	64	64
字数	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
组织	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP
封装等效代码	DIP64,.9	DIP64,.9
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	6	6
Base Number Matches	1	1

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