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BA483AMO

产品描述DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, DO-34, Microwave Mixer Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共4页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BA483AMO概述

DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, DO-34, Microwave Mixer Diode

BA483AMO规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压35 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大二极管电容1 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
频带VERY HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码DO-34
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流100 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向电流0.1 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

BA483AMO相似产品对比

BA483AMO BA482AMO BA484AMO
描述 DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, DO-34, Microwave Mixer Diode DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, DO-34, Microwave Mixer Diode DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, DO-34, Microwave Mixer Diode
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 35 V 35 V 35 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最大二极管电容 1 pF 1.2 pF 1.6 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 MIXER DIODE MIXER DIODE MIXER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V
频带 VERY HIGH FREQUENCY VERY HIGH FREQUENCY VERY HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码 DO-34 DO-34 DO-34
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 100 A 100 A 100 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大反向电流 0.1 µA 0.1 µA 0.1 µA
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL

 
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