BUK555-200B概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

BUK555-200B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	North American Philips Discrete Products Div
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	13 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)

	BUK555-200B	BUK555-200A
描述	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	North American Philips Discrete Products Div	North American Philips Discrete Products Div
Reach Compliance Code	unknown	unknown
配置	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	13 A	14 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0	e0
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W	125 W
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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