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BUK542-100B

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小350KB,共5页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BUK542-100B概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

BUK542-100B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称North American Philips Discrete Products Div
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.6 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)22 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

BUK542-100B相似产品对比

BUK542-100B BUK542-100A
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.6 A 6.3 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 22 W 22 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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