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BUK444-200B,127

产品描述4.7A, 200V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小248KB,共5页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BUK444-200B,127概述

4.7A, 200V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN

BUK444-200B,127规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)50 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)4.7 A
最大漏源导通电阻0.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)19 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BUK444-200B,127相似产品对比

BUK444-200B,127 BUK444-200A127 BUK444-200B127 BUK444-200A BUK444-200B
描述 4.7A, 200V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN TRANSISTOR 5.3 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR 4.7 A, 200 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR 5.3 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR 4.7 A, 200 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 50 mJ 50 mJ 50 mJ 50 mJ 50 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 4.7 A 5.3 A 4.7 A 5.3 A 4.7 A
最大漏源导通电阻 0.5 Ω 0.4 Ω 0.5 Ω 0.4 Ω 0.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 19 A 21 A 19 A 21 A 19 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
零件包装代码 - SFM SFM SFM SFM
针数 - 3 3 3 3
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