MT47H64M8BT-25E:A,MT47H64M8BT-25E:A pdf中文资料,MT47H64M8BT-25E:A引脚图,MT47H64M8BT-25E:A电路-Datasheet-电子工程世界

MT47H64M8BT-25E:A: 产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-92; 产品类别存储存储; 文件大小7MB，共136页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT47H64M8BT-25E:A概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA92, 11 X 19 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-92

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA92,9X21,32
针数	92
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B92
JESD-609代码	e1
长度	19 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	92
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	64MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA92,9X21,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.005 A
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	11 mm

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