Fast Page DRAM Module, 1MX36, 80ns, CMOS, SIMM-72
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | SIMM |
| 包装说明 | , |
| 针数 | 72 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 80 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
| 备用内存宽度 | 18 |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N72 |
| 内存密度 | 37748736 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 36 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 72 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | SINGLE |
| HB56D136B-8 | HB56D136B-12 | HB56D136B-10 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Fast Page DRAM Module, 1MX36, 80ns, CMOS, SIMM-72 | Fast Page DRAM Module, 1MX36, 120ns, CMOS, SIMM-72 | Fast Page DRAM Module, 1MX36, 100ns, CMOS, SIMM-72 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | SIMM | SIMM | SIMM |
| 针数 | 72 | 72 | 72 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE | FAST PAGE | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 80 ns | 120 ns | 100 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
| 备用内存宽度 | 18 | 18 | 18 |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N72 | R-XSMA-N72 | R-XSMA-N72 |
| 内存密度 | 37748736 bit | 37748736 bit | 37748736 bi |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM MODULE | FAST PAGE DRAM MODULE | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 36 | 36 | 36 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 72 | 72 | 72 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX36 | 1MX36 | 1MX36 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 | 1024 | 1024 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
嵌入式系统
嵌入式系统
单片机
测试/测量
电子竞赛
模拟电子
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
