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HB56UW464EJN-7B: 产品描述EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, MOS; 产品类别存储存储; 文件大小308KB，共27页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56UW464EJN-7B概述

EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, MOS

HB56UW464EJN-7B规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
包装说明	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	NO
最大待机电流	0.016 A
最大压摆率	1.44 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

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HB56UW464EJN-6B/7B

4,194,304-word

64-bit High Density Dynamic RAM Module

168-pin JEDEC Standard Outline Unbufferd 8 byte DIMM

ADE-203-594(Z)

Preliminary- Rev. 0.0

May. 15, 1996

Description

The HB56UW464EJN belongs to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been

developed as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor applications.

The HB56UW464EJN is a 4M

64 dynamic RAM module, mounted 16 pieces of 16-Mbit DRAM

(HM51W16405BJ) sealed in SOJ package and 1 piece of serial EEPROM (24C02) for Presence Detect

(PD). The HB56UW464EJN offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode.

An outline of the HB56UW464EJN is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the

HB56UW464EJN makes high density mounting possible without surface mount technology. The

HB56UW464EJN provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beneath

each SOJ on the module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Lead pitch: 1.27 mm

•

Single 3.3V (±10%) supply

•

High speed



Access time: t

RAC

= 60/70 ns (max)



Access time: t

CAC

= 15/18 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 4.6/4.1 W (max)



Standby mode (TTL): 116 mW (max)



Standby mode (CMOS): 58 mW (max)

•

EDO page mode capability

•

4,096 refresh cycle: 64 ms

•

3 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh



Hidden refresh

HB56UW464EJN-7B相似产品对比

	HB56UW464EJN-7B	HB56UW464EJN-6B
描述	EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, MOS	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, MOS
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	70 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	168	168
字数	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	4MX64	4MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096
自我刷新	NO	NO
最大待机电流	0.016 A	0.016 A
最大压摆率	1.44 mA	1.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL

HB56UW464EJN-7B

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HB56UW464EJN-7B规格参数

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