HV250MJE概述

2A 2 CHANNEL, HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, CDIP16

HV250MJE规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	YES
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-GDIP-T16
功能数量	2
端子数量	16
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
标称输出峰值电流	2 A
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
认证状态	Not Qualified
最大供电电压	450 V
最小供电电压	40 V
标称供电电压	40 V
电源电压1-最大	-100 V
电源电压1-分钟	-40 V
电源电压1-Nom	-40 V
表面贴装	NO
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL

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HV250MJE相似产品对比

	HV250MJE	HV250IPE	HV250CPE
描述	2A 2 CHANNEL, HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, CDIP16	2A 2 CHANNEL, HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP16	2A 2 CHANNEL, HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP16
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
高边驱动器	YES	YES	YES
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-GDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16
功能数量	2	2	2
端子数量	16	16	16
最高工作温度	125 °C	85 °C	75 °C
最低工作温度	-55 °C	-40 °C	-
标称输出峰值电流	2 A	2 A	2 A
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压	450 V	450 V	450 V
最小供电电压	40 V	40 V	40 V
标称供电电压	40 V	40 V	40 V
电源电压1-最大	-100 V	-100 V	-100 V
电源电压1-分钟	-40 V	-40 V	-40 V
电源电压1-Nom	-40 V	-40 V	-40 V
表面贴装	NO	NO	NO
温度等级	MILITARY	INDUSTRIAL	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
断开时间	-	1 µs	1 µs
接通时间	-	1 µs	1 µs

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