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2SD2219Q-RA

产品描述Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小85KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SD2219Q-RA概述

Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SD2219Q-RA规格参数

参数名称属性值
Objectid1417097137
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
VCEsat-Max0.4 V
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