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KM93C67V

产品描述EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
产品类别存储    存储   
文件大小47KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM93C67V概述

EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

KM93C67V规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AUTOMATIC WRITE; 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
备用内存宽度8
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.185 mm
内存密度4096 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.55 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护SOFTWARE
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