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2SD1064R

产品描述12A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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2SD1064R概述

12A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN

2SD1064R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-218
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1

2SD1064R相似产品对比

2SD1064R
描述 12A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218, TO-3PB, 3 PIN
是否Rohs认证 符合
零件包装代码 TO-218
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 2
Reach Compliance Code compli
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 12 A
集电极-发射极最大电压 50 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JEDEC-95代码 TO-218
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz
Base Number Matches 1

 
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