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NSB8GTHE3_A/I

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小140KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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NSB8GTHE3_A/I概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

NSB8GTHE3_A/I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流10 µA
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30

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NS8xT, NSF8xT, NSB8xT
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Glass Passivated General Purpose Plastic Rectifier
TO-220AC
ITO-220AC
FEATURES
• Power pack
• Glass passivated pellet chip junction
• Low forward voltage drop
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
(for TO-220AC and ITO-220AC package)
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHE3
(for ITO-220AC and TO-263AB package)
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
2
1
NS8xT
PIN 1
PIN 2
2
1
NSF8xT
PIN 1
CASE
PIN 2
TO-263AB
K
2
1
NSB8xT
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
TYPICAL APPLICATIONS
For use in general purpose rectification of power supplies,
inverters, converters and freewheeling diodes application.
MECHANICAL DATA
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
max.
Package
Diode variation
8.0 A
50 V to 1000 V
125 A
1.1 V
150 °C
TO-220AC, ITO-220AC,
TO-263AB
Single
Case:
TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
(“_X” denotes revision code e.g. A, B,...)
Terminals:
matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
as marked
Mounting Torque:
10 in-lbs maximum
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at T
C
= 100 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single sine-wave
superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
Isolation voltage (ITO-220AC only)
from terminal to heatsink t = 1 min
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
V
AC
NS8AT
50
35
50
NS8BT NS8DT NS8GT
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
125
-55 to +150
1500
NS8JT
600
420
600
NS8KT NS8MT UNIT
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
°C
V
Revision: 15-Nov-17
Document Number: 88690
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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