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2SK3608-01SJ

产品描述Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小255KB,共4页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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2SK3608-01SJ概述

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

2SK3608-01SJ规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)125.5 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)13 A
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.17 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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