电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

HSMS-2862-TR1

产品描述Mixer Diode, Ultra High Frequency to C Band, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小339KB,共18页
制造商Broadcom(博通)
下载文档 详细参数 全文预览

HSMS-2862-TR1概述

Mixer Diode, Ultra High Frequency to C Band, Silicon

HSMS-2862-TR1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Broadcom(博通)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY TO C BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量3
最大工作频率5.8 GHz
最小工作频率0.915 GHz
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 17  232  664  1056  1542 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved