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JAN1N6643

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共1页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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JAN1N6643概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35,

JAN1N6643规格参数

参数名称属性值
厂商名称Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.75 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/578
最大反向恢复时间0.006 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

JAN1N6643相似产品对比

JAN1N6643 JAN1N6638 JAN1N6642
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35, Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-35, Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35,
厂商名称 Bkc Semiconductors Inc Bkc Semiconductors Inc Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最大输出电流 0.3 A 0.3 A 0.3 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.75 W 0.75 W 0.75 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/578 MIL-19500/578 MIL-19500/578
最大反向恢复时间 0.006 µs 0.0045 µs 0.005 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL

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