Synchronous DRAM, 16MX72, 6ns, CMOS, PBGA219, PLASTIC, PBGA-219
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Micross |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | BGA, |
| 针数 | 219 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B219 |
| 长度 | 32 mm |
| 内存密度 | 1207959552 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 72 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 219 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 16MX72 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 25 mm |
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