HC6856/2YVRAC,HC6856/2YVRAC pdf中文资料,HC6856/2YVRAC引脚图,HC6856/2YVRAC电路-Datasheet-电子工程世界

HC6856/2YVRAC: 产品描述Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36; 产品类别存储存储; 文件大小743KB，共12页; 制造商Honeywell; 官网地址http://www.ssec.honeywell.com/

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HC6856/2YVRAC概述

Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Honeywell
零件包装代码	DFP
包装说明	DFP, TPAK36,1.5,25
针数	36
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	40 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDFP-F36
JESD-609代码	e0
长度	16.51 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	36
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装等效代码	TPAK36,1.5,25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535V;38534K;883S
座面最大高度	4.191 mm
最大待机电流	0.0004 A
最小待机电流	2.5 V
最大压摆率	0.0075 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
总剂量	200k Rad(Si) V
宽度	16.002 mm

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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