ABM3-FREQ-18-R200-E-4-X-T,ABM3-FREQ-18-R200-E-4-X-T pdf中文资料,ABM3-FREQ-18-R200-E-4-X-T引脚图,ABM3-FREQ-18-R200-E-4-X-T电路-Datasheet-电子工程世界

ABM3-FREQ-18-R200-E-4-X-T: 产品描述Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Min, 9.999MHz Max, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN; 产品类别无源元件晶体/谐振器; 文件大小713KB，共2页; 制造商Abracon; 官网地址http://www.abracon.com/index.htm; 标准

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ABM3-FREQ-18-R200-E-4-X-T概述

Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Min, 9.999MHz Max, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Abracon
包装说明	ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	TAPE AND REEL
老化	5 PPM/FIRST YEAR
晶体/谐振器类型	PARALLEL - FUNDAMENTAL
驱动电平	10 µW
频率稳定性	0.002%
频率容差	30 ppm
JESD-609代码	e4
负载电容	18 pF
制造商序列号	ABM3
安装特点	SURFACE MOUNT
最大工作频率	9.999 MHz
最小工作频率	9 MHz
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
物理尺寸	L5.0XB3.2XH1.3 (mm)/L0.197XB0.126XH0.051 (inch)
串联电阻	200 Ω
表面贴装	YES
端子面层	Silver (Ag)

关于中断向量和中断标志寄存器: 本人为一菜鸟，向诸位大侠请教一下430中应用过程中本人遇见一个问题就是在中断应用过程中例如IIC有IICIFG和IICIV两个寄存器分别叫做中断标志寄存器和中断向量寄存器他们都表示有相应的中断产生。那么在应用中有什么区别呢？同时定义如此两个寄存器会不会重复？请教大侠们给予指点谢谢...; winning 微控制器 MCU

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IRP处理的问题: IRP的发送是不是就象，应用层读写一样首先要CreatFile()然后在进行读写操作，IRP必须要首先IRP_MJ_CREATE，然后才能执行其它的功能码？为什么我用filemon监控的IRP 没有IRP_MJ_CREATE直接就IRP_MJ_QUERY_INFORMATION了？另外filemon截获的IRP 是顺序截获的吗？...; 洗了八吨水嵌入式系统

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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